[发明专利]发光及激光半导体的方法及装置无效
| 申请号： | 201180045546.3 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103119722A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 加布里埃尔·沃尔特 | 申请（专利权）人： | 量子电镀光学系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 吴晓辉 |
| 地址： | 马来西*** | 国省代码： | 马来西亚;MY |
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| 摘要： | 本发明适于结合发光半导体结构使用，所述发光半导体结构包含第一导电率类型的半导体有源区域，所述半导体有源区域含有量子大小区域且具有与第二导电率类型的半导体输入区域相邻的第一表面，所述发光半导体结构在相对于有源区域及输入区域施加电位后即刻操作以从所述有源区域产生光发射。提供一种用于增强所述发光半导体结构的操作的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体输出区域，所述半导体输出区域包含与第二表面相邻的第一导电率类型的半导体辅助层，所述第二表面与有源区域的第一表面相对；及将所述辅助层提供为半导体材料，所述半导体材料具有所述第一导电率类型材料的少数载流子的扩散长度，所述扩散长度实质上比所述有源区域的半导体材料的少数载流子的扩散长度短。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 激光 半导体 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于结合发光半导体结构使用以用于增强所述发光半导体结构的操作的方法，所述发光半导体结构包括第一导电率类型的半导体有源区域，所述半导体有源区域含有量子大小区域且具有与第二导电率类型的半导体输入区域相邻的第一表面，所述发光半导体结构在相对于所述有源区域及输入区域施加电位时即刻操作以从所述有源区域产生光发射，所述方法包括：提供半导体输出区域，所述半导体输出区域包括与第二表面相邻的所述第一导电率类型的半导体辅助层，所述第二表面与所述有源区域的所述第一表面相对；及将所述辅助层提供为包括半导体材料，所述半导体材料具有所述第一导电率类型材料的少数载流子的扩散长度，所述扩散长度实质上比所述有源区域的所述半导体材料的少数载流子的所述扩散长度短。
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