[发明专利]共形膜的等离子体激活沉积有效
| 申请号： | 201180045808.6 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103119695A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李明;康胡;曼迪亚姆·西里拉姆;阿德里安·拉瓦伊 | 申请（专利权）人： | 诺发系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了用于利用等离子体激活共形膜沉积（CFD）工艺沉积薄共形膜的方法和硬件。在一实施例中，一种用于形成薄共形膜的方法包括，在第一阶段中，从所述衬底的表面外产生出前驱体自由基并将所述前驱体自由基吸附到所述表面以形成表面活性物质；在第一清洗阶段中，从所述处理站清洗残留的前驱体；在第二阶段中，将反应性等离子体供应给所述表面，所述反应性等离子体被配置为与所述表面活性物质发生反应并产生所述薄共形膜；以及在第二清洗阶段中，从所述处理站清洗残留的反应物。 | ||
| 搜索关键词： | 共形膜 等离子体 激活 沉积 | ||
【主权项】：
一种在包括处理站的半导体处理装置中用于在位于所述处理站中的衬底上形成薄共形膜的方法，所述方法包括：在第一阶段中：从所述衬底的表面外产生出前驱体自由基，以及将所述前驱体自由基吸附到所述表面以形成表面活性物质；在第一清洗阶段中，从所述处理站清洗残留的前驱体；在第二阶段中，将反应性等离子体供应给所述表面，所述反应性等离子体被配置为与所述表面活性物质发生反应并产生所述薄共形膜；以及在第二清洗阶段中，从所述处理站清洗残留的反应物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
