[发明专利]具有双二极管存取装置的基于电阻的存储器有效
| 申请号： | 201180046114.4 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103124998A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郝武扬;徐钟元;李康浩;金泰贤;金正丕;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基于电阻的存储器具有双二极管存取装置。在特定实施例中，一种方法包含对位线(114)和感测线(112)施加偏压以经由第一二极管(116)或第二二极管(118)产生穿过基于电阻的存储元件(110)的电流。所述第一二极管的阴极耦合到所述位线且所述第二二极管的阳极耦合到所述感测线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二极管 存取 装置 基于 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其包括：存储单元，其包括：基于电阻的存储元件；第一二极管，其耦合到所述基于电阻的存储元件；以及第二二极管，其耦合到所述基于电阻的存储元件；其中穿过所述基于电阻的存储元件的电流流经所述第一二极管或所述第二二极管；且其中所述第一二极管的阴极耦合到所述存储单元的位线且所述第二二极管的阳极耦合到所述存储单元的感测线。
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