[发明专利]选择性可控电磁屏蔽无效

专利信息
申请号: 201180046316.9 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN103109591A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: D.W.巴曼;W.T.小斯托纳;J.K.施万内克;K.J.特纳;B.C.梅斯 申请(专利权)人: 捷通国际有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;H02J7/02;G01R33/421
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;卢江
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种具有电磁屏蔽材料和用于在屏蔽中选择性地生成孔的机构的选择性可控电磁屏蔽。用于在屏蔽中选择性地生成孔的机构可以是生成具有使屏蔽材料的全部或一部分基本上饱和的足够强度的磁场的磁场源。例如,可以使用永磁体或DC电磁体来使屏蔽选择性地饱和。在其未饱和状态下,磁屏蔽具有高磁导率,使得其将大部分电磁场吸引到自身中并充当用于磁场的通量路径。实际上,该屏蔽指引大部分磁场的流过屏蔽,使得从屏蔽的一侧传递至另一侧的场的量显著减少。一旦饱和,基本上降低了屏蔽的磁导率,使得磁场线不再以相同的程度被吸引到屏蔽中。结果,一旦饱和,则降低了饱和区域中的屏蔽的有效性,并且基本上更大量的电磁场可以流过被磁体饱和的区域中的屏蔽或在其周围流动。
搜索关键词: 选择性 可控 电磁 屏蔽
【主权项】:
一种电磁屏蔽系统,包括:电磁屏蔽,其具有基本上大于周围空间的磁导率的磁导率,使得所述电磁场提供比周围空间小的阻抗的电磁流动路径;以及磁场源,其接近于所述电磁屏蔽定位或可定位,所述磁场源生成磁场,所述磁场具有使所述屏蔽的至少一部分选择性地基本上饱和的足够强度,从而选择性地减小所述电磁屏蔽的所述磁导率,使得所述电磁屏蔽不再提供比周围空间小的阻抗的电磁流动路径。
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