[发明专利]感应加热装置有效
申请号: | 201180046790.1 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN103155120A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 内田直喜;冈崎良弘;尾崎一博 | 申请(专利权)人: | 三井造船株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;C23C16/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种感应加热装置,其能够实现防止对在腔室外部配置的磁极进行加热并且高效地加热被感应加热部件。该感应加热装置(10)具有:构成处理室的腔室(12)、与磁透射性遮蔽板(46)接近配置的磁极(32、34)和卷绕于磁极(32、34)的感应加热线圈(36、38),所述磁透射性遮蔽板(46)遮蔽设于腔室(12)外周即构成腔室(12)的壳体(26)的开口部(42),其特征在于,在磁透射性遮蔽板(46)和磁极(32、34)之间设置热传导率比磁透射性遮蔽板(46)高的冷却板(48)和可插通用于冷却冷却板(48)的制冷剂的冷却管(50),使冷却板(48)与磁透射性遮蔽板(46)密接,并且使冷却管(50)与冷却板(48)的至少一部分密接,在冷却板(48)和磁极(32、34)之间设有空隙。 | ||
搜索关键词: | 感应 加热 装置 | ||
【主权项】:
一种感应加热装置,其特征在于,具有构成处理室的腔室和与磁透射性遮蔽板接近配置的感应加热线圈或感应加热线圈用磁极,所述磁透射性遮蔽板遮蔽设于所述腔室外周即构成所述腔室的隔壁部件的开口部,其中,为了冷却所述磁透射性遮蔽板,具备与所述磁透射性遮蔽板密接或接近的冷却板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造