[发明专利]微光刻投射曝光设备和微光刻曝光方法有效
| 申请号： | 201180046828.5 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103140805A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | J.赫茨勒;S.布雷迪斯特尔;T.格鲁纳;J.哈特杰斯;M.施瓦布;A.沃尔夫 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于曝光基板(20)的微光刻投射曝光设备(10)，包括：投射物镜(18)；及光学测量装置(40)，其用于在曝光基板(20)前，确定基板(20)的表面形貌。测量装置(40)具有在投射物镜(18)的外面延伸的测量光束路径，并构造为波前测量装置，该波前测量装置构造为在基板表面(21)上的多个点处同时确定形貌测量值。 | ||
| 搜索关键词： | 微光 投射 曝光 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于曝光基板的微光刻投射曝光设备，包括：投射物镜；及光学测量装置，其用于在曝光所述基板前，确定所述基板的表面形貌，所述测量装置具有测量光束路径，该测量光束路径在所述投射物镜的外面延伸，且所述测量装置构造为波前测量装置，该波前测量装置构造为在所述基板表面的多个点上同时确定形貌测量值。
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