[发明专利]微光刻投射曝光设备和微光刻成像方法有效
| 申请号： | 201180046883.4 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103154819A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | J.赫茨勒;A.格内梅尔 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种微光刻投射曝光设备(10)，用于将提供图像的基板(20)的掩模结构(22)成像在待结构化的基板(30)上，该投射曝光设备包括测量装置(40)，该测量装置构造为确定布置在一个基板(20；30)的表面上的测量结构(32)在关于基板表面的至少一个横向方向上相对于彼此的相对位置，以及因此同时测量多个测量结构(32)，该多个测量结构布置为关于彼此横向偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 微光 投射 曝光 设备 成像 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将提供图像的基板的掩模结构成像在待结构化的基板上的微光刻投射曝光设备，包括测量装置，该测量装置构造为确定布置在所述基板之一的表面上的测量结构在关于所述基板表面的至少一个横向方向上相对于彼此的相对位置，以及由此同时测量关于彼此横向偏移地布置的多个测量结构。
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