[发明专利]基于双光子吸收的硅波导光功率监控器有效
| 申请号： | 201180047209.8 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103140743A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | H·荣;I-W·A·谢;M·J·帕尼恰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G01J3/00 | 分类号： | G01J3/00;G01J3/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种在不影响设备或系统性能的情况下监控波导内部的光功率的直接的方法，以代替监控从波导出来的光功率。波导包括p-i-n结构，所述p-i-n结构引起TPA产生的电流并且可以用反向偏置二极管增强。TPA电流可以通过探测设置在波导的顶部表面上的金属接触部来直接测量，并且可以使得能够进行晶圆级测试。可以在遍及集成的网络的期望的点处实施p-i-n结构，从而允许对不同设备进行探测，以用于原位功率监控和故障分析。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 吸收 波导 功率 监控器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：波导，形成在绝缘体上硅（SOI）衬底上；p掺杂区域，位于所述波导的第一侧；n掺杂区域，位于所述波导的相对侧，其中，当所述p掺杂区域和所述n掺杂区域被反向偏置时，通过测量双光子吸收（TPA）产生的电流来监控所述波导中的光功率。
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