[发明专利]具有界面层的非平面量子阱器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201180047252.4 | 申请日： | 2011-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103140930A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | W·瑞驰梅迪;R·皮尔拉瑞斯帝;V·H·勒;R·乔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 披露了用于形成非平面量子阱结构的技术。具体地说，该量子阱结构可用IV族或III-V族半导体材料实现并包括鳍结构。在一个示例性情形下，提供一种非平面量子阱器件，该量子阱器件包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲结构)、IV或III-V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)和量子阱层的量子阱结构。鳍结构被形成在量子阱结构中，而界面层被设置鳍结构之上。栅极金属可横跨鳍结构地沉积。在鳍结构的相应端可形成漏极区/源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 界面 平面 量子 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成非平面量子阱结构的方法，包括：提供具有衬底、IV或III‑V材料势垒层和量子阱层的量子阱结构；选择地蚀刻所述量子阱结构以形成鳍结构；在所述鳍结构上提供界面层，所述界面层的材料具有比所述鳍结构的材料的带隙更高的带隙；在所述界面层上提供高k电介质层；以及在所述高k电介质层上横跨所述鳍结构提供栅极金属。
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