[发明专利]第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法

摘要

提供：一种第III族氮化物半导体发光器件，所述第III族氮化物半导体发光器件可同时充分实现在电极和半导体层之间的良好欧姆接触和反射电极层的功能性质，并在不显著升高正向电压的情况下可改善发光效率；以及制造所述第III族氮化物半导体发光器件的方法。本发明的所述该第III族氮化物半导体发光器件(100)含有：由n型半导体层(103)、发光层(104)和p型半导体层(105)构成的第III族氮化物半导体层压体(106)；n侧电极(112)；和p侧电极(113)。所述第III族氮化物半导体发光器件(100)的特征在于：在所述第III族氮化物半导体层压体(106)的第二表面(108)上设置由反射电极部(109)和包括AlxGa1-xN(0≤x≤0.05)的接触部(110)构成的复合层(111)，其中所述第二表面(108)与所述第III族氮化物半导体层压体(106)的光提取侧的第一表面(107)相对。

主权项

一种第III族氮化物半导体发光器件，其包含：第III族氮化物半导体层压体，其包括发光层、第一导电型半导体层和导电型不同于所述第一导电型的第二导电型半导体层，其中所述发光层夹在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间；和第一电极和第二电极，其分别在所述第III族氮化物半导体层压体的所述第一导电型半导体层侧和所述第二导电型半导体层侧形成；其中具有反射电极部和由AlxGa1‑xN(0≤x≤0.05)制成的接触部的复合层设置在所述第III族氮化物半导体层压体的第二表面上，所述第二表面与光提取侧的第一表面相对。