[发明专利]碳化硅质陶瓷以及蜂窝构造体有效

专利信息
申请号: 201180047346.1 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN103140455B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 金田淳志;井上崇行;渡边刚 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;B01J35/04;C04B38/00
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 徐申民;李晓
地址: 日本国爱知县名*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种碳化硅质陶瓷,含有碳化硅晶体,碳化硅晶体中含有0.1~25质量%的4H型碳化硅晶体以及50~99.9质量%的6H型碳化硅晶体,优选氮的含量在0.01质量%以下,更优选含有含碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令碳化硅粒子互相结合的硅,硅的含有率为10~40质量%。提供温度变化引起的电阻率的变化量小、可通过通电而发热的碳化硅质陶瓷。
搜索关键词: 碳化硅 陶瓷 以及 蜂窝 构造
【主权项】:
一种通电发热碳化硅质陶瓷,其含有碳化硅晶体,所述碳化硅晶体中含有0.1~25质量%的4H型碳化硅晶体以及50~99.9质量%的6H型碳化硅晶体,进一步还含有15R型碳化硅晶体以及大于0且2.9质量%以下的3C型碳化硅晶体,所述碳化硅质陶瓷的20℃时的电阻率R20与最小电阻率RMin的差R20‑RMin在80Ω·cm以下,所述碳化硅质陶瓷含有含所述碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令所述碳化硅粒子互相结合的硅,所述硅的含有率为10~40质量%,RMin是令碳化硅质陶瓷的温度变化时,碳化硅质陶瓷的电阻率的值变得最小时的该电阻率的值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社,未经日本碍子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180047346.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top