[发明专利]碳化硅质陶瓷以及蜂窝构造体有效
申请号: | 201180047346.1 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN103140455B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 金田淳志;井上崇行;渡边刚 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;B01J35/04;C04B38/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 徐申民;李晓 |
地址: | 日本国爱知县名*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种碳化硅质陶瓷,含有碳化硅晶体,碳化硅晶体中含有0.1~25质量%的4H型碳化硅晶体以及50~99.9质量%的6H型碳化硅晶体,优选氮的含量在0.01质量%以下,更优选含有含碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令碳化硅粒子互相结合的硅,硅的含有率为10~40质量%。提供温度变化引起的电阻率的变化量小、可通过通电而发热的碳化硅质陶瓷。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 陶瓷 以及 蜂窝 构造 | ||
【主权项】:
一种通电发热碳化硅质陶瓷,其含有碳化硅晶体,所述碳化硅晶体中含有0.1~25质量%的4H型碳化硅晶体以及50~99.9质量%的6H型碳化硅晶体,进一步还含有15R型碳化硅晶体以及大于0且2.9质量%以下的3C型碳化硅晶体,所述碳化硅质陶瓷的20℃时的电阻率R20与最小电阻率RMin的差R20‑RMin在80Ω·cm以下,所述碳化硅质陶瓷含有含所述碳化硅晶体的多个碳化硅粒子和令所述碳化硅粒子互相结合的硅,所述硅的含有率为10~40质量%,RMin是令碳化硅质陶瓷的温度变化时,碳化硅质陶瓷的电阻率的值变得最小时的该电阻率的值。
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