[发明专利]使用化学剥离方法的III族氮化物基板的制备方法有效
| 申请号： | 201180047509.6 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103262211A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 朱秦佑;白宗协;朴炯兆;李尚宪;丁铎;金孳姢;吴和燮;郑泰勳;金润硕;田大祐 | 申请（专利权）人： | 韩国光技术院 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 刘成春;王莹 |
| 地址： | 韩国光*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明具体例中公开的非极性或半极性III族氮化物层，可用于各种电子元件的基板上，不仅可以缓解或消除现有极性Ⅲ族氮化物基板的问题，而且可以通过化学剥离方法制备。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 化学 剥离 方法 iii 氮化物 制备 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物基板的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：a）在提供非极性或半极性外延生长层生长表面的基板上形成第一Ⅲ族氮化物层；b）通过横向生长方式，在所述第一Ⅲ族氮化物层上形成内部形成有1或2个以上空穴的第二Ⅲ族氮化物层；c）在所述第二Ⅲ族氮化物层上形成第三Ⅲ族氮化物层；及d）对所述第二Ⅲ族氮化物层的至少一部分厚度实施化学蚀刻，得到分离的第三Ⅲ族氮化物层；且所述空穴里面的至少一个区域表现出N‑极性。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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