[发明专利]包括氧化亚铜半导体并具有改进的P-N异质结的微电子结构

摘要

本发明提供了用于制造较高品质p-n异质结的方法，所述p-n异质结掺有氧化亚铜和适于形成所述异质结的另一种材料。当掺入到微电子器件中时，这些改进的异质结预期将提供改进的微电子性质，例如改进的缺陷密度、特别是在所述p-n异质结处的较低界面缺陷密度，产生改进的微电子器件，例如具有改进的开路电压、填充因子、效率、电流密度等的太阳能电池器件。

主权项

一种方法，所述方法包括如下步骤：a)提供支持物，其中所述支持物的至少一部分包含具有面的模板区；b)在所述模板面上形成定向p‑型半导体区，其中所述p‑型半导体区包含至少含有Cu(I)和氧的组分；c)在等离子体存在下，在所述p‑型半导体区上形成定向n‑型发射极区。