[发明专利]胺硬化的硅-氮-氢薄膜无效
| 申请号： | 201180047951.9 | 申请日： | 2011-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN103154102A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | E·O·索利斯;纪丽丽;赵月;A·B·马利克;N·K·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J5/18;C08L83/00;C09D183/00;H01B3/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍;刘佳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述形成介电质层的方法。该方法可包含在基板上形成含硅氮氢层。该方法包含将该含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将含硅氮氢层转变为含硅氧层。在臭氧硬化后，退火之前，在低温下将该层曝露至胺-水组合物中。胺硬化的存在允许在退火期间，在低温下更快速且完全地发生向含硅氧层的转化。该胺硬化亦使退火可使用较低氧化性的环境来实现向含硅氧层的转化。 | ||
| 搜索关键词： | 硬化 薄膜 | ||
【主权项】：
一种在基板上形成含硅氧层的方法，所述方法包含下列顺序步骤：在所述基板上沉积含硅氮氢层；在含臭氧气氛中在臭氧硬化温度下将所述含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将所述含硅氮氢层转化为所述含硅氧层；以及在包含含胺前体与水的气氛中，在胺硬化温度下将所述含硅氮氢层进行胺硬化，以形成所述含硅氧层。
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