[发明专利]三级存储器装置有效

专利信息
申请号: 201180047972.0 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN103154835A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: J·施里弗;J·舍施密特;T·派歇尔 申请(专利权)人: 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 杨晓光;于静
地址: 德国法*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及三级存储器装置。电子存储器装置,包括:至少三个存储器区域(A,B,C)、存储器控制单元(3)和至少两个反问存储器的单元(5,6),其中至少一个访问存储器的单元(6)能够执行写入访问操作并且至少另一个访问存储器的单元(5)能够执行读出访问操作,并且其中存储器控制单元(3)决定对所述至少三个存储器区域(A,B,C)的访问,其中所述存储器控制单元(3)设计成使得,在数据包已经被写入所述三个存储器区域(A,B,C)之一后,把待写入的后继数据包写入到在该后续写入访问期间没有读取访问同时发生的存储器区域。
搜索关键词: 三级 存储器 装置
【主权项】:
一种包括至少三个存储器区域(A,B,C)、存储器控制单元(3)以及至少两个存储器访问单元(5,6)的电子存储器装置,其中至少一个存储器访问单元(6)可以进行写入访问并且至少另一个存储器访问单元(5)可以进行读取访问,并且其中存储器控制单元(3)决定对所述至少三个存储器区域(A,B,C)的访问,其特征在于,存储器控制单元(3)被设计成使得在把数据包写入到所述三个存储器区域(A,B,C)之一之后,把将要写入的后继数据包写入到在该后续写入访问期间没有读取访问同时发生的存储器区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司,未经大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180047972.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top