[发明专利]含有被芳族间隔基隔开的DBT和DBF片段的基于3,9-联接的低聚咔唑的新型主体有效
申请号: | 201180048583.X | 申请日: | 2011-10-07 |
公开(公告)号: | CN103155195A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | A·大金 | 申请(专利权)人: | 通用显示公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了包含3,9-联接的低聚咔唑部分和二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃或氮杂-二苯并硒吩的化合物。所述3,9-联接的低聚咔唑和二苯并或氮杂-二苯并部分被芳族间隔基隔开。所述化合物可以用作磷光OLED的非发光材料以提供具有改进性能的设计。 | ||
搜索关键词: | 含有 被芳族 间隔 隔开 dbt dbf 片段 基于 联接 低聚咔唑 新型 主体 | ||
【主权项】:
1.一种化合物,具有下式:其中,n为1-20;其中,R′1、R′2、R′3和R′4的每一个独立地代表单、双、三或四取代;其中,R′1、R′2、R′3和R′4独立地选自于由氢、氘、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基和杂芳基构成的组;其中,Ra和Rb独立地代表单、双、三或四取代;其中,Ra和Rb独立地选自于由氢、氘、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、芳基和杂芳基构成的组;其中,X为进一步由Ra取代的芳基或杂芳基联接基;以及其中,Y为进一步由Rb取代的二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、或氮杂-二苯并硒吩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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