[发明专利]低接触电阻的有机薄膜晶体管有效

专利信息
申请号: 201180048823.6 申请日: 2011-08-16
公开(公告)号: CN103155196A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: C·纽萨姆 申请(专利权)人: 剑桥显示技术有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/05
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王海宁
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了从由烷氧基苯和烷基取代烷氧基苯构成的组中选取的溶剂在减小包含半导体层的有机薄膜晶体管中的接触电阻的用途,所述半导体层包含从由小分子半导体材料和聚合物材料在所述溶剂中的溶液沉积的所述小分子半导体材料和所述聚合物材料的共混物,以及特别用于制备有机薄膜晶体管的新型半导体共混物配制剂。所述溶剂的使用产生具有较低绝对接触电阻、较低绝对沟道电阻、和较低的接触电阻与总沟道电阻比例的器件。
搜索关键词: 接触 电阻 有机 薄膜晶体管
【主权项】:
从由C1‑4烷氧基苯和C1‑4烷基取代C1‑4烷氧基苯构成的组中选取的溶剂在降低包含半导体层的有机薄膜晶体管中的接触电阻中的用途,其中,所述半导体层包含小分子半导体材料和聚合物材料的共混物,所述共混物是由所述小分子半导体材料和所述聚合物材料在所述溶剂中的溶液沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥显示技术有限公司,未经剑桥显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180048823.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top