[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201180049221.2 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103140927A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | N.冯马尔姆;S.伊莱克;U.施特格米勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种发光二极管芯片，具有：－至少两个半导体本体（1），其中每个半导体本体（1）包括至少一个被安排为生成辐射的有源区域（11），－载体（2），其具有上侧（2a）以及背离上侧（2a）的下侧（2b），以及－电绝缘连接装置（3），其布置在载体（2）的上侧处，其中－电绝缘连接装置（3）布置在半导体本体（1）与载体的上侧（2a）之间，－电绝缘连接装置（3）居间促成半导体本体（1）与载体（2）之间的机械接触，以及－半导体本体（1）的至少一部分彼此电串联。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，具有：－至少两个半导体本体（1），其中每个半导体本体（1）包括至少一个被安排为生成辐射的有源区域（11），－载体（2），其具有上侧（2a）以及背离上侧（2a）的下侧（2b），以及－电绝缘连接装置（3），其布置在载体的上侧（2a）处，其中－电绝缘连接装置（3）布置在半导体本体（1）与载体（2）的上侧（2a）之间，－电绝缘连接装置（3）居间促成半导体本体（1）与载体（2）之间的机械接触，以及－半导体本体（1）的至少一部分彼此电串联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
