[发明专利]制造红外传感器材料的方法、红外传感器材料、红外传感器元件和红外图像传感器无效
| 申请号： | 201180049497.0 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN103153850A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 关野省治 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;G01J1/02;H01L35/24;H01L35/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造红外传感器材料的方法，所述方法包括：通过将碳纳米管（CNT）分散在溶剂中而制备CNT分散液，使用所述CNT分散液作为原料来形成CNT薄膜，以及对所述CNT薄膜进行退火，使得电阻温度系数的绝对值在-10℃至50℃的温度下等于或大于1%/K。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 红外传感器 材料 方法 元件 红外 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种制造红外传感器材料的方法，所述方法包括：通过将碳纳米管（CNT）分散在溶剂中而制备CNT分散液；使用所述CNT分散液作为原料来形成CNT薄膜；以及对所述CNT薄膜进行退火，使得电阻温度系数的绝对值在‑10℃至50℃的温度下等于或大于1%/K。
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