[发明专利]用于处理晶片的装置和方法

摘要

本发明涉及用于处理衬底、尤其晶片（15）的一种装置，该装置具有至少一个预处理模块（9）、至少一个后处理模块（11）以及至少一个主处理模块（10），其中该预处理模块（9）和该后处理模块（11）作为该主处理模块（10）的闸是可开关的，以及本发明涉及用于处理衬底、尤其晶片的一种相应的方法。

主权项

用于处理衬底对的装置，其中每个衬底对由第一和第二衬底组成，所述装置包括：‑用于衬底对的第一衬底在至少一个主处理模块中的主处理之前的预处理的第一预处理模块，所述第一预处理模块包括形成第一预处理空间的第一预处理小室、和在打开状态和关闭状态之间可切换的第一闸门，‑用于衬底对的第二衬底在所述至少一个主处理模块中的主处理之前的预处理的第二预处理模块，所述第二预处理模块包括形成第二预处理空间的第二预处理小室、和在打开状态和关闭状态之间可切换的第二闸门，‑用于所述衬底对的主处理的所述至少一个主处理模块，所述至少一个主处理模块具有形成主处理空间的主处理小室，其中所述衬底对的主处理包括使所述衬底对的第一和第二衬底彼此接触并且将第一和第二衬底接合在一起，同时给所述第一和第二预处理模块加载另外的衬底，所述至少一个主处理模块包括用于在所述第一和第二衬底的接合期间将所述主处理小室加热到高于250℃的温度的加热装置，‑位于第一预处理小室与主处理小室之间的第一主闸门，所述第一主闸门在打开状态和关闭状态之间可切换并且所述第一主闸门在关闭状态下形成主处理小室和第一预处理小室之间的真空密封的连接，‑位于第二预处理小室与主处理小室之间的第二主闸门，所述第二主闸门在打开状态和关闭状态之间可切换并且所述第二主闸门在关闭状态下形成主处理小室和第二预处理小室之间的真空密封的连接，‑至少一个用于所述衬底对的后处理的后处理模块，所述至少一个后处理模块具有：形成后处理空间的后处理小室，和在打开状态和关闭状态之间可切换的第三闸门，‑位于主处理空间与后处理空间之间的第三主闸门，所述第三主闸门在打开状态和关闭状态之间可切换并且第三主闸门在关闭状态下形成主处理小室和后处理小室之间的真空密封的连接，以及‑中央控制装置，用于控制一个或多个加压装置的运行以独立地控制第一和第二预处理空间、主处理空间、和后处理空间中的压力，以及用于控制第一闸门、第一主闸门、第二闸门、第二主闸门、第三闸门、和第三主闸门在打开状态和关闭状态之间的切换。