[发明专利]银纳米线制造方法和银纳米线成长控制剂有效
| 申请号： | 201180049951.2 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103167920A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 河口知晃;长谷川俊之 | 申请（专利权）人： | 星光PMC株式会社 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 武也平;胡福恒 |
| 地址： | 日本东京都中*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供一种能宽范地控制银纳米线长轴长的银纳米线制造方法和银纳米线成长控制剂。解决方案为：一种银纳米线制造方法，其特征在于，让含有通过聚合含N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合性单体而得到的聚合物的银纳米线成长控制剂和银化合物在多元醇中25～180℃下反应；一种银纳米线成长控制剂，其特征在于，含有作为聚合性单体而具有N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合物；一种银纳米线成长控制剂，其特征在于，含有作为聚合性单体而具有N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 成长 控制 | ||
【主权项】：
一种银纳米线制造方法，其特征在于，让含有通过聚合含N‑取代(甲基)丙烯酰胺的聚合性单体而得到的聚合物的银纳米线成长控制剂和银化合物在多元醇中25～180℃下反应。
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