[发明专利]磁器件以及用于从所述器件读取和向所述器件写入的方法

摘要

本发明涉及一种包括磁化方向固定的参考层(2)和磁化方向可变的存储(3)的磁器件。在写入模式中，改变存储层(3)的磁化方向以便在存储层中存储“1”或者“0”。在在读取模式中，测量磁器件的电阻以便知道什么存储于存储层(3)中。磁器件的特征具体在于它也包括磁化方向可变的控制层(4)。控制该控制层(4)的磁化方向以便在希望向存储层(3)写入的情况下增加自旋转移力矩的有效性并且在希望读取存储层(3)中包含的信息而未修改所述信息的情况下减少自旋转移力矩的有效性。

主权项

一种磁器件，包括：‑称为“参考层”(2)的第一磁层，具有固定磁化方向；‑称为“存储层”(3)的第二磁层，具有可变磁化方向，所述存储层(3)的磁化能够与所述参考层(2)的磁化平行或者反平行定向；‑第一间隔物(5)，分离所述参考层(2)和所述存储层(3)，其特征在于，所述器件还包括：‑称为“控制层”(4)的第三磁层，具有可变磁化方向以便将所述磁器件从读取模式改变成写入模式以及相反，所述控制层(5)的磁化能够以这样的方式来控制，所述方式使得：○在所述读取模式中，所述控制层具有与所述参考层的磁化方向平行或者反平行的磁化方向，以便减去所述参考层和所述控制层对所述存储层的磁化施加的自旋转移力矩；○在所述写入模式中，所述控制层具有下面的磁化方向：·当所述控制层在读取模式中具有与所述参考层的磁化方向反平行的磁化方向时，具有与所述参考层的磁化方向平行的磁化方向，或者·当所述控制层在读取模式中具有与所述参考层的磁化方向平行的磁化方向时，具有与所述参考层的磁化方向反平行的磁化方向；‑第二间隔物(6)，分离所述存储层(3)和所述控制层(4)；‑用于所述控制层(4)的磁化方向的控制装置(11)，能够改变所述控制层(4)的磁化方向而不改变所述存储层(3)的磁化方向。