[发明专利]具有辅助频率和次谐波变量的RF阻抗匹配网络有效
| 申请号： | 201180050391.2 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103314430A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | J·A·派皮通;G·E·波士顿 | 申请（专利权）人： | 科米特技术美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的实施例可以用于物理气相沉积的匹配网络。匹配网络可以包括通过具有第一调谐电路的第一阻抗匹配网络耦合至沉积腔室靶的第一RF发生器。第一RF发生器可以被配置为向沉积腔室靶引入第一AC信号。匹配网络还可以包括通过第二阻抗匹配网络耦合至沉积腔室基座的第二RF发生器。第二RF发生器可以被配置为向沉积腔室基座引入第二AC信号。第一调谐电路可以被配置为修改在沉积腔室靶和沉积腔室基座之间形成的等离子体上的第二AC信号的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 频率 谐波 变量 rf 阻抗匹配 网络 | ||
【主权项】：
一种用于物理气相沉积的匹配网络，包括：第一RF发生器，通过具有第一调谐电路的第一阻抗匹配网络耦合至沉积腔室靶，其中所述第一RF发生器被配置为向所述沉积腔室靶引入第一AC信号；以及第二RF发生器，通过第二阻抗匹配网络耦合至沉积腔室基座并且被配置为向所述沉积腔室基座引入第二AC信号，其中所述第一调谐电路被配置为改变所述第二AC信号对在所述沉积腔室靶和所述沉积腔室基座之间形成的等离子体的影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
