[发明专利]具有浮动和接地的衬底区域的HEMT有效
| 申请号： | 201180050624.9 | 申请日： | 2011-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103180957A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | S·巴尔;C·布鲁卡 | 申请（专利权）人： | 美国国家半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以层形式形成的III-N族HEMT（200,800,1400）的Si衬底（210,810,1410），其限定将Si衬底（210,810,1410）的上区域（214,816,1414）与Si衬底（210,810,1410）的下区域（212,812,1412）电隔离的p-n结。因此，Si衬底（210,810,1410）的上区域（214,816,1414）可进行电浮动，从而获得全缓冲击穿电压，同时通过导电环氧树脂的方式将Si衬底（210,810,1410）的下区域（212,812,1412）连至封装体，从而显著地提高III-N族HEMT（200,800,1400）的导热性并使不希望的浮动电压区最小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浮动 接地 衬底 区域 hemt | ||
【主权项】：
一种晶体管，其包括：多层衬底结构，该结构具有第一导电类型的第一层以及与所述第一层的顶面接触的第二导电类型的第二层，所述多层衬底结构具有顶面；与所述多层衬底结构的所述顶面接触的缓冲层，所述缓冲层没有与所述第一层接触的部分，所述缓冲层具有顶面且包括III族氮化物；与所述缓冲层的所述顶面接触的沟道层，所述沟道层包括III族氮化物且具有顶面；与所述沟道层的所述顶面接触的阻挡层，所述阻挡层包括III族氮化物；以及与所述沟道层接触的间隔开的金属源区和漏区。
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