[发明专利]用于低热导率和热电能量转换的材料的纳米网声子结构有效

专利信息
申请号: 201180050833.3 申请日: 2011-10-20
公开(公告)号: CN103180983A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 余人侃;斯洛博丹·密特罗维克;詹姆斯·R·希思 申请(专利权)人: 加州理工学院
主分类号: H01L35/02 分类号: H01L35/02;H01L35/12;H01L35/34
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 周靖;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种纳米网声子结构,其包括:包括第一材料的片,该片具有以声子间距间隔开的多个声子尺寸的特征件,声子间距小于或者等于第一材料的最大声子平均自由程的两倍,并且声子尺寸小于或者等于第一材料的最大声子平均自由程。
搜索关键词: 用于 低热 热电 能量 转换 材料 纳米 网声子 结构
【主权项】:
一种纳米网声子结构,包括:片,其包括第一材料,所述片具有以声子间距间隔开的多个声子尺寸的特征件,所述声子间距小于或者等于所述第一材料的最大声子平均自由程的两倍,并且所述声子尺寸小于或者等于所述第一材料的所述最大声子平均自由程。
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