[发明专利]晶体制造方法无效
| 申请号： | 201180051141.0 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103180490A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 小林伸行;前田一树;近藤浩一;七泷努;今井克宏;吉川润 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B1/04 | 分类号： | C30B1/04;B05D1/06;C04B35/64;C23C24/04 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的晶体制造方法，包含：进行在原料成分单晶化的规定的单晶化温度下，喷射含有该原料成分的原料粉体，在由单晶构成的晶种基板上形成含有原料成分的膜的成膜处理的同时，进行令含原料的膜直接在规定的单晶化温度下结晶化的结晶化处理的成膜结晶化工序。该成膜结晶化工序中，单晶化温度优选在900℃以上。此外，成膜结晶化工序中，原料粉体及晶种基板优选为氮化物或氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体制造方法，包含成膜结晶化工序，该成膜结晶化工序中，在原料成分能够单晶化的规定的单晶化温度下，喷射含有该原料成分的原料粉体，从而在含单晶的晶种基板上形成含有该原料成分的膜的同时，令所述形成的含有原料成分的膜直接在所述单晶化温度下结晶化。
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