[发明专利]沉积薄膜电极与薄膜堆迭的方法有效
| 申请号： | 201180051782.6 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103201839B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | F·皮耶拉利西 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请提供沉积至少一个薄膜电极（402、403）至透明导电氧化物膜（405）上的方法。首先，沉积透明导电氧化物膜（405）至待处理基板（101）上。接着，使基板（101）和透明导电氧化物膜（405）经受含有处理气体（207）的处理环境，该处理气体相对于透明导电氧化物膜（405）作为施体材料或受体材料。沉积至少一个薄膜电极（402、403）至至少部分的透明导电氧化物膜（405）上。当沉积至少一个薄膜电极（402、403）至至少部分的透明导电氧化物膜（405）上时，改变相对于透明导电氧化物膜（405）作为施体材料或受体材料的处理气体（207）的分压。如此可得到具有较低界面电阻（408）与体电阻（409’）的改性透明导电氧化物膜（410）。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 薄膜 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积薄膜电极至透明导电氧化物膜上的方法，该方法包含：沉积所述透明导电氧化物膜至基板上；使所述基板和所述透明导电氧化物膜经受含有溅射气体与处理气体的处理环境，所述处理气体相对于所述透明导电氧化物膜作为施体材料或受体材料；以及沉积所述薄膜电极至至少部分的所述透明导电氧化物膜上，其中：当沉积所述薄膜电极至至少部分的所述透明导电氧化物膜上时，相对所述溅射气体的压力，改变相对于所述透明导电氧化物膜作为所述施体材料或所述受体材料的所述处理气体的分压。
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