[发明专利]光阻材料及硬掩模前驱物的原子层沉积

摘要

本发明提供了用于在基板上形成对辐射敏感的光阻的方法。描述了形成薄膜(例如含硅薄膜)光阻的原子层沉积方法。所述工艺可重复多次，以沉积多层硅光阻层。同时揭露了利用含碳底层，例如非晶碳层沉积光阻与在光阻中形成图案的工艺。

主权项

一种在基板上形成辐射敏感光阻的方法，包括：使一基板相继暴露至第一前驱物与第二前驱物的交替脉冲，该第一前驱物含有具可交联单体的取代基以及一反应物，该反应物选自臭氧、H2O、H2O2、NH3、反应性氧、反应性氮及反应性氢，该第二前驱物含有反应性单体，所述反应性单体与该第一前驱物中的所述取代基是可交联的以形成一沉积层，使得在该沉积层中该第一前驱物与该第二前驱物中的可交联的反应性单体部分保持为未反应的且可溶于显影剂溶液；以及选择性地使部分的该沉积层暴露于辐射以产生一图案，该辐射选自超紫外线、远紫外线、X射线与电子束，在该图案中，该沉积层的暴露部分含有交联的单体，所述交联的单体于该基板上形成一薄膜，该薄膜比该沉积层的未暴露部分的溶解性差。