[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，其中在晶体管操作时，在获得极好纵向击穿电压的情况下，能够抑制漏极泄漏电流。该半导体器件特征在于被提供有：开口（28），其从n+接触层（8）经由p型势垒层（6）到达n型漂移层（4）；再生长层（27），其被定位为覆盖p型势垒层（6）等，该再生长层（27）包括未掺杂的GaN沟道层（22）和载流子供应层（26）；绝缘膜（9），其被定位为覆盖再生长层（27）；和栅电极（G），其位于绝缘膜（9）上。该半导体器件特征还在于，在p型势垒层中Mg浓度A（cm-3）和氢浓度B（cm-3）满足式（1）：0.1＜B/A＜0.9。

主权项

一种半导体器件，包括GaN基化合物半导体堆叠层（GaN基堆叠层），所述GaN基化合物半导体堆叠层包括：第一导电型漂移层；第二导电型势垒层，所述第二导电型势垒层位于所述第一导电型漂移层上；和第一导电型接触层，所述第一导电型接触层位于所述第二导电型势垒层上，所述GaN基堆叠层具有开口，所述开口从所述第一导电型接触层延伸，并且穿过所述第二导电型势垒层到达所述第一导电型漂移层，所述半导体器件包括：再生长层，所述再生长层被定位为覆盖所述GaN基堆叠层的暴露于所述开口的部分，所述再生长层包括由GaN基半导体构成的沟道层和向所述沟道层提供载流子的载流子供应层；绝缘层，所述绝缘层被定位为覆盖所述再生长层；源电极，所述源电极位于所述GaN基堆叠层上；栅电极，所述栅电极位于所述绝缘层上；和漏电极，所述漏电极位于与所述第一导电型接触层相反的第一导电型区域的任何一个上，且所述开口的底部位于它们中间，其中，在所述第二导电型势垒层中，第二导电型杂质浓度A（cm‑3）和氢浓度B（cm‑3）满足0.1＜B/A＜0.9…（1）。