[发明专利]用于集成电路上的单片功率闸控的装置无效

专利信息
申请号: 201180052304.7 申请日: 2011-10-25
公开(公告)号: CN103430304A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 塞缪尔·D·纳夫齐格;布鲁斯·吉泽克;本杰明·贝克尔 申请(专利权)人: 超威半导体公司
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/528
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种功率闸控装置包括具有第一电压基准面和第二电压基准面的集成电路封装,以及包括电路块和开关块的集成电路。可以将第一和第二电压基准面彼此电隔离。开关块可以包括以围绕电路块的环形布置的多个开关。可以将第一电压基准面电耦合在外部电压基准与多个开关之间,并且可以将第二电压基准面电耦合在多个开关与电路块之间。第二电压基准面还可以将电流遍布地分配在电路块上。此外,每个开关配置成响应于控制信号而中断第一基准电压面与电路块之间的电路径。
搜索关键词: 用于 集成电路 单片 功率 装置
【主权项】:
一种装置,其包括:集成电路封装,所述集成电路封装包括第一电压基准面和第二电压基准面,其中所述第一和第二电压基准面彼此电隔离;以及集成电路晶片,所述集成电路晶片包括:电路块;以及开关块,所述开关块包括以围绕所述电路块的环形布置的多个开关;其中所述第一电压基准面电耦合在外部电压基准与所述多个开关之间,且所述第二电压基准面电耦合在所述多个开关与所述电路块之间,其中所述第二电压基准面配置成将电流遍布地分配在所述电路块上;并且其中每个开关配置成响应于控制信号而中断所述第一基准电压面与所述电路块之间的电路径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于超威半导体公司,未经超威半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180052304.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top