[发明专利]发光元件及其制造方法、发光装置的制造方法、照明装置、背光灯、显示装置以及二极管

摘要

本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。

主权项

一种发光元件，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基部（113、1113）；多个第一导电型的突起状半导体（121、1121），形成在上述第一导电型的半导体基部上；以及第二导电型的半导体层（123、1123），覆盖上述突起状半导体。