[发明专利]稳定性提高的金属氧化物TFT有效
| 申请号： | 201180052840.7 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103229305A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 谢泉隆;法特·弗恩格;俞钢 | 申请（专利权）人： | 希百特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体器件，其包括金属氧化物有源层、栅极介电层和低陷阱密度材料层。所述低陷阱密度材料层夹在所述金属氧化物有源层与所述栅极介电层之间。所述低陷阱密度材料层具有与所述金属氧化物有源层的主表面平行并接触的主表面，以与所述金属氧化物有源层形成低陷阱密度界面。第二低陷阱密度材料层可以任选放置成与所述金属氧化物有源层的相对主表面相接触，以便与所述金属氧化物有源层的两个表面形成低陷阱密度界面。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定性 提高 金属 氧化物 tft | ||
【主权项】：
金属氧化物半导体器件，其包含：具有主表面的金属氧化物有源层；具有主表面的栅极介电层；以及置于所述金属氧化物有源层与所述栅极介电层之间的低陷阱密度材料层，所述低陷阱密度材料层具有与所述金属氧化物有源层平行并接触的第一主表面，以与所述金属氧化物有源层形成低陷阱密度界面。
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