[发明专利]生长于衬底上的III族氮化物层无效
| 申请号： | 201180052858.7 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103180971A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | N.F.加德纳;W.K.戈伊茨;M.J.格伦德曼恩;M.B.麦劳林;J.E.埃普勒;M.D.坎拉斯;F.M.斯特兰卡 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在根据本发明实施例的方法中，在衬底上生长III族氮化物层。所述衬底是RAO3(MO)n，其中R是从Sc、In、Y和镧系元素中选择的；A是从Fe（III）、Ga和Al中选择的；M是从Mg、Mn、Fe（II）、Co、Cu、Zn和Cd中选择的；n是≥1的整数。在一些实施例中，[(|asubstrate–alayer|)/asubstrate]*100%不超过1%，其中asubstrate是衬底的面内晶格常数，alayer是III族氮化物层的体晶格常数。在根据本发明实施例的另一种方法中，在衬底上生长III族氮化物层。所述衬底是非III族氮化物材料。所述III族氮化物层是三元、四元或五元合金。III族氮化物层足够厚，以在机械上自支持并具有低缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 iii 氮化物 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上生长III族氮化物层；其中所述衬底是RAO3(MO)n，其中R是从Sc、In、Y和镧系元素中选择的；A是从Fe（III）、Ga和Al中选择的；M是从Mg、Mn、Fe（II）、Co、Cu、Zn和Cd中选择的；n是≥1的整数；所述衬底具有面内晶格常数asubstrate；所述III族氮化物层具有体晶格常数alayer；并且[(|asubstrate – alayer|)/asubstrate]*100% 不超过1%。
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