[发明专利]形成复合衬底的方法无效
| 申请号： | 201180052885.4 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103180495A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | N.F.加德纳;M.B.麦劳林;M.J.格伦德曼恩;W.戈依茨;J.E.埃普勒;Q.叶 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C30B25/18;C30B33/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘鹏;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在根据本发明的实施例的方法中，一种III族氮化物层生长在生长衬底上。该III族氮化物层连接到基质衬底。移除该生长衬底。该生长衬底是非III族氮化物材料。该生长衬底具有面内晶格常数a衬底。该III族氮化物层具有体晶格常数a层。在一些实施例中，[(|a衬底–a层|)/a衬底]*100%不超过1%。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 复合 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在生长衬底上生长III族氮化物层；其中所述生长衬底是非III族氮化物材料；所述生长衬底具有面内晶格常数a衬底；所述III族氮化物层具有体晶格常数a层；并且[(|a衬底–a层|)/a衬底]*100%不超过1%；将所述III族氮化物层连接至基质衬底；以及移除所述生长衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180052885.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造复合无纺布的方法和设备
- 下一篇：一种双功率切换高压发生器
