[发明专利]III族氮化物发光器件无效
| 申请号： | 201180052905.8 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103180973A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | M.J.格伦德曼恩;N.F.加德纳;W.K.戈伊茨;M.B.麦克劳林;J.E.埃普勒;F.A.利昂 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;H01L21/02;H01S5/02;H01S5/183;H01S5/343;H01L33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李亚非;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种器件包括衬底(10)和生长在衬底上的III族氮化物结构(15)，该III族氮化物结构包括布置在n型区域(14)和p型区域(18)之间的发光层(16)。该衬底为RAO3(MO)n，其中R为三价阳离子Sc、In、Y和镧系元素其中之一；A为三价阳离子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M为二价阳离子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n为≥1的整数。该衬底具有面内晶格常数a衬底。该III族氮化物结构中的至少一个III族氮化物层具有体晶格常数a层，使得[(|a衬底_-a层|)/a衬底]*100%不大于1%。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：生长一种生长在衬底上的III族氮化物结构，该III族氮化物结构包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层；将该III族氮化物结构附着到载具；以及移除该衬底，其中：该衬底为RAO3(MO)n，其中R为三价阳离子Sc、In、Y和镧系元素其中之一；A为三价阳离子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M为二价阳离子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n为≥1的整数；该衬底具有面内晶格常数a衬底；该III族氮化物结构中的至少一个III族氮化物层具有体晶格常数a层；以及[(|a衬底‑a层|)/a衬底]*100%不大于1%。
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