[发明专利]测绘氧浓度的方法有效
| 申请号： | 201180052914.7 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103189740A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | J.维尔曼;S.杜博伊斯;N.恩加尔波特 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种确定半导体材料的样品的氧浓度的方法，所述方法包括：热处理样品的步骤（F1）以形成热施主；测量样品的一个区域中的电阻率（F2）；从通过添加四倍于热施主浓度的掺杂杂质浓度、根据离子化掺杂杂质浓度表示的电荷载流子迁移率的关系式并且从所测量的电阻率值，确定热施主浓度（F3）。该方法还包括通过热施主浓度确定氧浓度（F4）。 | ||
| 搜索关键词： | 测绘 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种通过热施主浓度（NTDD）确定由半导体材料制成的样品的氧浓度（CO）的方法，包括如下步骤：a）使所述样品经受热处理以形成热施主（TDD）（F1），其特征在于，该方法还包括如下步骤：b）测量所述样品的一区域中的电阻率（ρ）（F2），c）通过以下确定所述热施主浓度（NTDD）（F3）：‑通过添加四倍于所述热施主浓度（NTDD）的离子化掺杂杂质浓度，依据离子化掺杂杂质浓度（NA、ND）表示的电荷载流子迁移率（μ）的关系式，和‑所测量的电阻率值。
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