[发明专利]通过用有机蚀刻剂处理而生产层结构体的方法以及可由此获得的层结构体无效
| 申请号： | 201180053372.5 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103210451A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | U·古恩特曼;D·盖瑟 | 申请（专利权）人： | 赫劳斯贵金属有限两和公司 |
| 主分类号： | H01B1/12 | 分类号： | H01B1/12;C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 肖威;刘金辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及层结构体的生产，其包括如下工艺步骤：i)提供包括基材和位于所述基材上且包含导电聚合物的导电层的层结构体；ii)使所述导电层的至少一部分表面与包含可释放氯、溴或碘的有机化合物的组合物Z1接触。本发明还涉及一种可由该方法获得的层结构体、一种层结构体、层结构体的用途、一种电子组件和有机化合物的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 有机 蚀刻 处理 生产 结构 方法 以及 由此 获得 | ||
【主权项】：
一种生产层结构体的方法，其包括如下工艺步骤：i)提供包括基材和施加至所述基材上且包含导电聚合物的导电层的层结构体；ii)使所述导电层的至少一部分表面与包含可释放氯、溴或碘的有机化合物的组合物Z1接触。
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