[发明专利]单晶提拉装置及单晶提拉装置中使用的低导热性构件无效

专利信息
申请号: 201180053387.1 申请日: 2011-11-21
公开(公告)号: CN103189547A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 冈田修;川上雅昭 申请(专利权)人: 东洋炭素株式会社
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C04B35/83;C30B29/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宝荣
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够抑制从坩埚旋转轴向炉外的热逃散,且能够将制造成本抑制得廉价的金属单晶提拉装置及该单晶提拉装置中使用的低导热性构件。单晶提拉装置(1)具备:收纳硅熔液(3)的石英坩埚(2);保持石英坩埚(2)的石墨坩埚(4);用于在下部固定保持石墨坩埚(4)的托盘(5);在下部支承托盘(5),且使托盘(5)及坩埚(2、4)在旋转的同时进行升降的坩埚旋转轴(6)。在托盘(5)与坩埚旋转轴(6)的接合面夹设有低导热构件(10)。低导热构件(10)形成为大致管状,且以坩埚旋转轴(6)的凸部穿过低导热构件(10)的中央孔的状态夹设配置。由此,在托盘(5)的底部下侧形成空隙部(11)。
搜索关键词: 单晶提拉 装置 使用 导热性 构件
【主权项】:
一种单晶提拉装置,其具备:坩埚装置,其由坩埚和用于在下部固定保持该坩埚的托盘构成;坩埚旋转轴,其在下部支承该托盘,且使托盘及坩埚在旋转的同时进行升降,所述单晶提拉装置的特征在于,在所述坩埚与所述托盘之间以及所述托盘与所述坩埚旋转轴之间的至少一方形成有空隙部。
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