[发明专利]半导体装置、显示装置以及半导体装置和显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180053443.1 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103201843A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 中川兴史;近间义雅;原猛;胜井宏充 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(100)包括：TFT的栅极电极(102)；形成在栅极电极(102)上的栅极绝缘层(103)；配置在栅极绝缘层(103)上的氧化物半导体层(107)；通过旋涂玻璃法形成在氧化物半导体层(107)上的保护层(108)；和配置在保护层(108)上的源极电极(105)和漏极电极(106)，其中，源极电极(105)经形成于保护层(108)的第一接触孔(131)与氧化物半导体层(104)电连接，漏极电极(106)经形成于保护层(108)的第二接触孔(132)与氧化物半导体层(104)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：所述半导体装置具有薄膜晶体管，所述半导体装置的制造方法包括：工序(A1)，在基板上形成所述薄膜晶体管的栅极电极；工序(B1)，以覆盖所述栅极电极的方式形成栅极绝缘层；工序(C1)，在所述栅极绝缘层上形成所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；工序(D1)，以覆盖所述氧化物半导体层的方式通过旋涂玻璃法形成保护层；工序(E1)，在所述保护层形成第一接触孔和第二接触孔；和工序(F1)，在所述保护层上形成所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，所述源极电极形成为经所述第一接触孔与所述氧化物半导体层电连接，所述漏极电极形成为经所述第二接触孔与所述氧化物半导体层电连接。
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