[发明专利]虚拟参数高压侧MOSFET驱动器在审

专利信息
申请号: 201180053957.7 申请日: 2011-11-08
公开(公告)号: CN103201939A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: M·塔莱弗斯;B·沙菲波尔 申请(专利权)人: 弗莱克斯电子有限责任公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;庞淑敏
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了一种供电设备和调节方法。转换器电路包括初级开关元件和辅助开关元件。辅助开关元件用于传送反射电压信号。变压器包括初级和次级,初级与转换器电路耦合。转换器电路包括初级开关和辅助开关,用于选择性地确定谐振频率。辅助开关由具有独立电源的驱动器启用,从而允许如所需的那么强的驱动器来驱动大的辅助开关。
搜索关键词: 虚拟 参数 高压 mosfet 驱动器
【主权项】:
一种功率转换器,包括:a.输出变压器;b.耦合到所述输出变压器的谐振回路电路,所述谐振回路电路包括:i.第一能量存储元件;ii.初级开关,用于选择性地对第一能量存储元件充电;iii.与所述第一能量存储元件并联的第二能量存储元件;iv.辅助开关,用于选择性地将第三能量存储元件与所述第一能量存储元件耦合;以及v.第一电源,用于向所述谐振回路电路提供电力;c.比较器,用以检测跨过所述能量存储元件中至少一个的电压;以及d.驱动器,用以基于所述比较器的输出状态驱动所述辅助开关;其中所述驱动器包括第二电源,该第二电源用于独立于所述谐振回路提供电力。
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