[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件无效
| 申请号： | 201180054067.8 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103201842A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;中村广记 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明的课题为提供一种减低栅极配线与基板间的寄生电容且为栅极后形成工艺的SGT的制造方法及为其结果的SGT构造，本发明是通过以下步骤来解决上述课题：于硅基板上形成鳍状硅层，于前述鳍状硅层的周围形成第1绝缘膜，于前述鳍状硅层的上部形成柱状硅层的步骤；前述步骤后，于前述柱状硅层上部、前述鳍状硅层上部、及前述柱状硅层下部植入杂质而形成扩散层的步骤；前述步骤后，作成栅极绝缘膜、多晶硅栅极电极、及多晶硅栅极配线的步骤；前述步骤后，于前述鳍状硅层上部的前述扩散层上部形成硅化物的步骤；前述步骤后，堆积层间绝缘膜，露出前述多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线，蚀刻前述多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线后，堆积金属，形成金属栅极电极与金属栅极配线的步骤；以及前述步骤后，形成接触部的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有下述步驟：于硅基板上形成鳍状硅层，于前述鳍状硅层的周围形成第1绝缘膜，于前述鳍状硅层的上部形成柱状硅层的第1步骤；前述柱状硅层的直径是与前述鳍状硅层的宽度相同，前述第1步骤后，于前述柱状硅层上部、前述鳍状硅层上部、及前述柱状硅层下部植入杂质而形成扩散层的第2步骤；前述第2步骤后，作成栅极绝缘膜、多晶硅栅极电极、及多晶硅栅极配线的第3步骤；前述栅极绝缘膜是覆盖前述柱状硅层的周围和上部，前述多晶硅栅极电极是覆盖栅极绝缘膜，前述多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线形成后的多晶硅的上表面是位于较前述柱状硅层上部的前述扩散层上的前述栅极绝缘膜更高的位置；前述第3步骤后，于前述鳍状硅层上部的前述扩散层上部形成硅化物的第4步骤；前述第4步骤后，堆积层间绝缘膜，露出前述多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线，蚀刻前述多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线后，堆积金属，以形成金属栅极电极与金属栅极配线的第5步骤；前述金属栅极配线是延伸于与连接于前述金属栅极电极的前述鳍状硅层正交的方向；前述第5步骤后，形成接触部的第6步骤；前述柱状硅层上部的前述扩散层与前述接触部为直接连接。
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