[发明专利]非易失性磁隧道结晶体管有效
| 申请号： | 201180054198.6 | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN103201796A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | D·C·沃莱吉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种示例性实施例是一种控制磁自由层的磁方向的装置。该装置包括具有第一磁性写入层和第二磁性写入层的写入器。跨过第一和第二磁性写入层施加写入电压使得磁性写入层中的一个的磁各向异性从平行于磁性写入层的平面切换为与磁性写入层的平面正交。具有平行于磁性写入层的平面的磁各向异性的磁性写入层在磁自由层中诱导磁方向。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性磁 隧道 结晶体 | ||
【主权项】：
一种用于产生磁场的装置，所述装置包括：写入器，包括第一磁性写入层和第二磁性写入层；其中当被第一写入电压供能时，所述写入器被配置为将所述第一磁性写入层的磁各向异性从平行于所述第一磁性写入层的平面切换为与所述第一磁性写入层的平面正交，以便所述第二磁性写入层在与所述写入器邻近的区域中诱导第一磁场；以及其中当被第二写入电压供能时，所述写入器被配置为将所述第二磁性写入层的磁各向异性从平行于所述第二磁性写入层的平面切换为与所述第二磁性写入层的平面正交，以便所述第一磁性写入层在与所述写入器邻近的区域中诱导第二磁场，所述第二磁场沿与所述第一磁场相反的方向。
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