[发明专利]使用光的注入晶片后加热

摘要

本发明提供一种用于在冷离子注入中消减凝露的离子注入系统、方法及设备。离子注入设备构造为将离子提供至放置在加工室中的工件。在该工件暴露于复数个离子的过程中，低温夹具支撑该工件。该低温夹具进一步构造为冷却该工件至加工温度，其中该加工温度系低于外部环境的露点。承载闸室将加工室的加工环境与外部环境隔离。光源在该工件存在于该承载闸室中的同时提供预定波长的电磁辐射至该工件，其中该预定波长或波长范围与该工件的最大辐射能量吸收范围有关，其中该光源构造为选择性地加热该工件。

主权项

一种离子注入系统，所述离子注入系统包括：离子注入设备，所述离子注入设备构造为将复数个离子提供至放置于加工室内的工件；低温夹具，所述低温夹具构造为在所述工件暴露于复数个离子的过程中将所述工件支撑在所述加工室中，其中所述低温夹具进一步构造为将所述工件冷却至加工温度；承载闸室，所述承载闸室可操作地连接至所述加工室并且构造为使所述加工室所带有的加工环境与外部环境隔离，其中所述外部环境在大于所述加工温度的外部温度下，并且其中所述承载闸室包括工件支撑体，所述工件支撑体构造为在将所述工件在所述加工室与外部环境之间传送的过程中支撑该工件；以及光源，所述光源构造为在所述工件存在于所述承载闸室中的同时将一个或多个预定波长的电磁辐射提供至所述工件，其中所述一个或多个预定波长与所述工件的最大辐射能量吸收范围有关，其中所述光源构造为选择性地加热该工件。