[发明专利]氧化物烧结体及溅射靶有效
| 申请号： | 201180054499.9 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103201232A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕史;岩崎祐纪;得平雅也;米田阳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/00;C04B35/457;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体，其特征在于，其是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3‑SnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相，其中，x、y、z为任意的正整数。
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