[发明专利]两阶段的均匀干式蚀刻

摘要

描述一种从多个槽蚀刻氧化硅的方法，该方法能容许槽之间更为一致的蚀刻速率。在蚀刻之后，槽内经蚀刻的氧化硅的表面也可较为平滑。该方法包括两个干式蚀刻阶段以及后续的升华步骤。第一干式蚀刻阶段迅速地移除氧化硅，且产生大的固体残余物颗粒。第二干式蚀刻阶段缓慢地移除氧化硅，且在大的固体残余物颗粒之间产生小的固体残余物颗粒。在后续的升华步骤中，小与大的固体残余物均被移除。该两个干式蚀刻阶段之间不存在有升华步骤。

主权项

一种从图案化基片的表面上的多个槽蚀刻氧化硅的方法，所述图案化基片位于基片处理腔室的基片处理区域中，所述方法依序包括以下步骤：在第一干式蚀刻阶段中，干式蚀刻位于所述多个槽的各个槽中的氧化硅，以在所述多个槽中的残余氧化硅的表面上形成第一固体副产物，其中在所述第一干式蚀刻阶段的期间以第一蚀刻速率移除氧化硅；在第二干式蚀刻阶段中，干式蚀刻位于所述多个槽的各个槽中的氧化硅，以在所述多个槽中的残余氧化硅的所述表面上形成第二固体副产物，其中在所述第二干式蚀刻阶段的期间的氧化硅的第二蚀刻速率小于所述第一蚀刻速率；及从所述多个槽升华所述第一与第二固体副产物。