[发明专利]包括参考电容器的微机电压力传感器有效
| 申请号： | 201180055029.4 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103221795A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | J·布雷泽克 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体公司 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;G01L7/08;B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 除了其他方面以外，本申请还讨论了一种装置，该装置包括：硅晶片，其包括振动隔膜，所述晶片具有：与硅晶片底部相对的硅晶片顶部；顶部硅晶片端口，其从所述硅晶片顶部穿过所述硅晶片延伸至所述振动隔膜的顶部；以及底部硅晶片端口，其从所述硅晶片底部延伸至所述振动隔膜的底部，其中，所述底部硅晶片端口的横截面面积比所述顶部硅晶片端口的横截面面积大；电容器电极，其被设置为沿着所述硅晶片的底部横跨所述底部硅晶片端口被沉积，所述电容器电极包括与所述顶部硅晶片端口共同延伸的第一信号产生部分和围绕所述第一部分的第二信号产生部分。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 参考 电容器 微机 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：硅晶片，其包括振动隔膜，所述晶片具有：与硅晶片底部相对的硅晶片顶部；顶部硅晶片端口，其从所述硅晶片顶部穿过所述硅晶片延伸至所述振动隔膜的顶部；以及底部硅晶片端口，其从所述硅晶片底部延伸至所述振动隔膜的底部，其中，所述底部硅晶片端口的横截面面积比所述顶部硅晶片端口的横截面面积大；电容器电极，其被设置为沿着所述硅晶片的底部横跨所述底部硅晶片端口，所述电容器电极包括与所述顶部硅晶片端口共同延伸的第一信号产生部分和围绕所述第一部分的第二信号产生部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体公司，未经快捷半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180055029.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：草坪中杂草的防治方法
- 下一篇：用于抽屉的联接装置
