[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，将半导体层形成气体导入反应室（70）内，通过使上述半导体层形成气体发生等离子体放电而在规定层上形成半导体层（4、304）。在上述半导体层形成气体的基础上，将杂质气体导入上述反应室内，通过使包含上述半导体层形成气体及上述杂质气体的第一导电型层形成气体发生等离子体放电，以覆盖上述半导体层的方式形成第一导电型的第一导电型层（5、305）。在形成上述第一导电型层的工序中，在形成上述半导体层的等离子体放电处理结束后而上述反应室内的压力仍未减压至极限真空度的状态下，供给到上述反应室的气体的组份设定值从上述半导体层形成气体的组份过渡为上述第一导电型层形成气体的组份。能够提高半导体装置的制造方法的生产性。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，使用等离子体CVD法以覆盖半导体层（4、304）的方式堆积导电型层（5、305），该半导体装置的制造方法具有：将半导体层形成气体导入反应室（70）内，通过使所述半导体层形成气体发生等离子体放电而在规定层上形成所述半导体层（4、304）的工序；在所述半导体层形成气体的基础上，将杂质气体导入所述反应室（70）内，通过使包含所述半导体层形成气体及所述杂质气体的第一导电型层形成气体发生等离子体放电，以覆盖所述半导体层（4、304）的方式形成第一导电型的第一导电型层（5、305）的工序；在形成所述第一导电型层（5、305）的工序中，在形成所述半导体层（4、304）的等离子体放电处理结束后而所述反应室（70）内的压力仍未减压至极限真空度的状态下，供给到所述反应室（70）的气体的组份设定值从所述半导体层形成气体的组份过渡为所述第一导电型层形成气体的组份。