[发明专利]蓝光响应增强的高效黑硅光伏器件在审
| 申请号： | 201180055134.8 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103283001A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | J·吴;H·M·布伦兹;H-C·阮 | 申请（专利权）人： | 可持续能源联盟有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有改进的蓝光响应的光伏（PV）器件。PV器件在光接收侧上包含具有发射层的硅衬底。发射层所具有的掺杂物水平使得其薄层电阻为90～170欧姆/sq。仅仅通过光接收表面上的纳米结构或黑硅表面，在PV器件中提供抗反射，其中通过扩散形成发射极。以不会导致金或其它高复合金属留在黑硅中的方式，如使用银的金属辅助刻蚀，形成黑硅的纳米结构。进一步处理黑硅，扩大所述孔隙，这样可提供侧向尺寸为65～150纳米的更大的纳米结构，以减少表面面积并且还刻蚀掉发射极的高掺杂部分。 | ||
| 搜索关键词： | 响应 增强 高效 黑硅光伏 器件 | ||
【主权项】：
具有增强的蓝光响应的光伏器件，其包括：硅衬底；位于硅衬底一个侧面上的发射层，所述发射层的掺杂物水平提供至少90欧姆/sq的薄层电阻；以及所述发射层上的抗反射表面，所述表面包括黑硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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