[发明专利]导电性硬质碳膜及其成膜方法有效
申请号: | 201180055302.3 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN103210114A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 北川晃幸;野村修平 | 申请(专利权)人: | 株式会社野村镀金 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C01B31/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在真空减压下,向基材(13)照射气体团簇离子束(4a)而使基材(13)清洁化和/或平坦化的工序;以及使中间层膜形成材料蒸发汽化,使该蒸发汽化物附着在基材(13)的表面,并且向中间层膜形成材料照射气体团簇离子束(4a)形成中间层膜的工序,使包括硼材料和实质上不含氢的碳质材料的碳膜形成材料蒸发汽化,使该蒸发汽化物附着在上述中间层膜表面,并且向碳膜形成材料照射气体团簇离子束(4a)而进行成膜。 | ||
搜索关键词: | 导电性 硬质 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种导电性硬质碳膜的成膜方法,在真空减压下在基材上通过气相成膜形成导电性硬质碳膜,其特征在于,具有:向基材照射气体团簇离子束而使基材清洁化和/或平坦化的工序;以及使包括硼材料和实质上不含氢的碳质材料的碳膜形成材料蒸发汽化,使该蒸发汽化物电离,或者不电离而附着在上述基材表面,并且向碳膜形成材料照射气体团簇离子束而进行成膜的工序。
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