[发明专利]金属硅的凝固提纯方法及装置有效
| 申请号： | 201180055381.8 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103209924A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 田中正博;岸田丰 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金高新材料株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王诣然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属硅的凝固提纯方法及其装置，在将晶体的生产率维持在高的状态的同时，与以往相比能够更有效率且可靠地进行杂质元素的去除。一种金属硅的凝固提纯法，使处于凝固提纯装置的铸模内的金属硅的熔融液体进行一个方向凝固并去除金属硅中的杂质元素，其中，使用凝固界面中的熔融液体侧温度梯度（G）、凝固中途的熔融液体中杂质元素浓度（Cm）、凝固速度（V）表示的组份的过冷却指数｛VOGC=（V/G）×Cm｝相对于使用从金属硅中的硅-杂质元素的状态图读取的液相线的梯度（m）和杂质元素的扩散系数（D）表示的组份的过冷却的临界值｛0.59（D/m）｝，以维持1/10｛0.59（D/m）｝≤VOGC＜0.59（D/m）的关系的方式，进行熔融液体的加热和/或冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 凝固 提纯 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种金属硅的凝固提纯法，使处于凝固提纯装置的铸模内的金属硅的熔融液体进行一个方向凝固并去除所述金属硅中的杂质元素，其特征在于，使用凝固界面中的熔融液体侧温度梯度（G）、凝固中途的熔融液体中杂质元素浓度（Cm）和凝固速度（V）表示的组份的过冷却指数｛VOGC=（V/G）×Cm｝，相对于使用从金属硅中的硅‑杂质元素的状态图读取的液相线的梯度（m）和杂质元素的扩散系数（D）表示的组份的过冷却的临界值｛0.59（D/m）｝，维持下述关系地进行所述熔融液体的加热和/或冷却：1/10｛0.59（D/m）｝≤VOGC＜0.59（D/m）。
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